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瀏覽器自帶分享功能也很好用哦~HD1001型超高速GaN FET驅動器是深圳市乾鴻微電子有限公司自主設計，并基于國內代工廠工藝流片的模擬集成電路。該芯片具有快速開關頻率和低延遲、窄脈寬、低失真、驅動能力強等特性；尤其適用于高分辨率、遠程激光雷達發射機系統，同樣也適用于其它需要高頻開關驅動器的應用場合，例如DC/DC變換器、自動駕駛輔助系統ADAS、電源調制器等。HD1001具有欠壓鎖定(UVLO)和過溫保護(OTP)，以確保設備在意外故障情況下的安全性。該產品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封裝，工作溫度范圍為-40℃~125℃。
產品詳情
電源電壓：5V
單通道驅動器，驅動GaN或Si MOSFET
同相或反相輸入
較小脈沖寬度：1. 5ns
上升、下降延遲時間：4ns
上升、下降時間：1ns
輸出驅動器電流6.5A(pull-up)/4.5A(pull-down)
封裝形式：塑封DFN6L(2mm*2mm)
工作溫度：-40℃～125℃
應用領域：激光雷達發射機
自動駕駛輔助系統ADAS
DC/DC變換器
電源調制器
HD1001型超高速GaN FET驅動器是深圳市乾鴻微電子有限公司自主設計，并基于國內代工廠工藝流片的模擬集成電路。該芯片具有快速開關頻率和低延遲、窄脈寬、低失真、驅動能力強等特性；尤其適用于高分辨率、遠程激光雷達發射機系統，同樣也適用于其它需要高頻開關驅動器的應用場合，例如DC/DC變換器、自動駕駛輔助系統ADAS、電源調制器等。HD1001具有欠壓鎖定(UVLO)和過溫保護(OTP)，以確保設備在意外故障情況下的安全性。該產品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封裝，工作溫度范圍為-40℃~125℃。
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較小脈沖寬度：1. 5ns
上升、下降延遲時間：4ns
上升、下降時間：1ns
輸出驅動器電流6.5A(pull-up)/4.5A(pull-down)
封裝形式：塑封DFN6L(2mm*2mm)
工作溫度：-40℃～125℃
應用領域：激光雷達發射機
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